大功率IGBT平板压接式封装结构

摘要

本实用新型涉及一种大功率IGBT平板压接式封装结构，其特征在于：管芯包含塑料模架盘（2-1）、IGBT芯片单元（2-2）、门极引出板（2-3）和下钼片（2-4），所述IGBT芯片单元包括门极针（2-2-1）、电极组块（2-2-2）、上钼片（2-2-3）和IGBT芯片（2-2-4），在所述塑料模架盘的通孔内电极组块、上钼片和IGBT芯片自上到下依次压接，所述电极组块的上表面与阴极电极接触，所述IGBT芯片的下表面与下钼片相压接。本实用新型既提高了IGBT工作时的散热效果，同时简化了门极引出结构。

主权项

一种大功率IGBT平板压接式封装结构，包含有管壳（1）和管芯（2），所述管壳（1）包含有阴极电极（1‑1）、阴极法兰（1‑2）、阳极法兰（1‑3）、瓷环（1‑4）、阳极电极（1‑5）、阳极密封圈（1‑6）和门极引线管（1‑7），其特征在于：所述管芯（2）包含塑料模架盘（2‑1）、IGBT芯片单元（2‑2）、门极引出板（2‑3）和下钼片（2‑4），所述塑料模架盘（2‑1）和门极引出板（2‑2）上均设置有通孔，所述IGBT芯片单元（2‑2）插入塑料模架盘（2‑1）的通孔中，所述门极引出板（2‑3）盖置于IGBT芯片单元（2‑2）上，所述门极引出板（2‑3）与门极引线管（1‑7）相固定，所述下钼片（2‑4）设置于塑料模架盘（2‑1）的底部，其下表面与阳极电极（1‑5）相接触；所述IGBT芯片单元（2‑2）包括门极针（2‑2‑1）、电极组块（2‑2‑2）、上钼片（2‑2‑3）和IGBT芯片（2‑2‑4），所述门极针（2‑2‑1）插置于塑料模架盘（2‑1）中，其下端与IGBT芯片（2‑2‑4）接触，上端与门极引出板（2‑3）接触，在所述塑料模架盘（2‑1）的通孔内电极组块（2‑2‑2）、上钼片（2‑2‑3）和IGBT芯片（2‑2‑4）自上到下依次压接，所述电极组块（2‑2‑2）的上表面与阴极电极（1‑1）接触，所述IGBT芯片（2‑2‑4）的下表面与下钼片（2‑4）接触。