发明名称 PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN MATERIAU PIEZOELECTRIQUE
摘要 <p>L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure à base d'un matériau piézoélectrique, comportant : a) la réalisation d'un empilement comportant au moins une couche métallique (22) et au moins une couche conductrice (26) sur un substrat en matériau piézoélectrique (20), au moins un contact électrique (31) étant établi entre la couche conductrice (26) et un élément métallique (29) extérieur à l'empilement, b) une implantation ionique et/ou atomique, à travers au moins ladite couche conductrice (26) et la couche métallique (22), c) l'élimination de la couche conductrice (26), d) un report de ce substrat sur un substrat de report (30) puis une fracture de ce substrat piézoélectrique reporté, dans la zone de fragilisation (27).</p>
申请公布号 FR2962598(A1) 申请公布日期 2012.01.13
申请号 FR20100055478 申请日期 2010.07.06
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES;S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 DEGUET CHRYSTEL;BLANC NICOLAS;IMBERT BRUNO;MOULET JEAN-SEBASTIEN
分类号 H01L41/22;H01L41/312 主分类号 H01L41/22
代理机构 代理人
主权项
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