卤代聚硅烷和生产卤代聚硅烷的等离子体-化学方法

摘要

本发明涉及一种卤代聚硅烷(下文称为聚硅烷)，所述卤代聚硅烷是纯化合物或化合物的混合物，并涉及制备所述卤代聚硅烷的等离子体-化学方法。所述聚硅烷特别是易溶的和易熔的，并且特征在于在29Si NMR谱的特定化学位移处有明显的产物信号。制备所述卤代聚硅烷的方法特征在于使用低氢比例和特别低的等离子体放电的能量密度，从而可以制备特别易溶的卤代聚硅烷。

主权项

一种卤代聚硅烷，所述卤代聚硅烷为纯化合物或每种化合物具有至少一个直接的Si‑Si键的化合物的混合物，所述卤代聚硅烷的取代基由卤素组成或由卤素和氢组成，在其组成中，取代基与硅的原子比为至少1∶1，其特征在于：a)所述卤素是氯，b)所述聚硅烷的氢含量小于2原子％，c)所述聚硅烷几乎不含任何短链的支链和环，相对于全部产品混合物，短链的部分的支化点的含量小于1％，d)其具有I100/I132＞1的Raman分子振动谱，其中I100是指在100cm‑1处的Raman强度，I132是指在132cm‑1处的Raman强度，e)在29Si‑NMR谱上，所述聚硅烷在+15ppm至‑7ppm的化学位移范围内具有其显著的产物信号。