| 主权项 |
一种多层陶瓷基板之制造方法，其包含：准备复合积层体之步骤，该复合积层体包含生陶瓷积层体及第1及第2收缩抑制层，该生陶瓷积层体系将包含低温烧成陶瓷材料之复数陶瓷生胚层积层所形成者，该第1及第2收缩抑制层系分别配置于此陶瓷积层体其相对向之第1及第2主面上且含有于能够让该低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结之无机材料的粉末；烧成步骤，在能够让该低温烧成陶瓷材料烧结的同时，分别沿着该陶瓷生胚层与该第1收缩抑制层之间的界面以及该陶瓷生胚层与该第2收缩抑制层之间的界面，在能让该低温烧成陶瓷材料与该无机材料互相产生化学反应而生成第1及第2反应层的烧成条件下，烧成该复合积层体；除去步骤，该烧成步骤之后，从该复合积层体除去该第1及第2收缩抑制层；该除去步骤，系包含减少该第1及第2反应层中至少一者之厚度，藉此让该第1及第2反应层各自之厚度相异之步骤。如申请专利范围第1项之多层陶瓷基板之制造方法，其进一步具备分别于该陶瓷积层体之第1及第2主面上形成第1及第2表面导体膜之步骤；其中，该第2表面导体膜的面积做成比第1表面导体膜的面积还要小，该除去步骤中，该第2反应层的厚度做成比该第1反应层的厚度还要薄。如申请专利范围第2项之多层陶瓷基板之制造方法，其中，该陶瓷积层体的第1及第2主面分别具有未形成第1及第2表面导体膜之第1及第2导体未形成区域，且于该除去步骤中，分别位于第1及第2导体未形成区域上之第1及第2反应层之各自的体积实质上做成相同。如申请专利范围第1至3项中任一项之多层陶瓷基板之制造方法，其中，该除去步骤具备对该收缩抑制层实施之喷吹处理之步骤。一种多层陶瓷基板，其具备由复数之陶瓷层所构成之陶瓷积层体，该复数之陶瓷层系由低温烧成陶瓷材料的烧结体所形成并且经积层而成者；且于该陶瓷积层体其相对向之第1及第2主面上分别形成第1及第2反应层，该第1及第2反应层系由该低温烧成陶瓷材料与于能够让该低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结之无机材料互相产生化学反应所生成，且该第1及第2反应层各自的厚度相异。如申请专利范围第5项之多层陶瓷基板，其中，于该陶瓷积层体之该第1及第2主面上，分别形成有第1及第2表面导体膜，该第2表面导体膜的面积比该第1表面导体膜的面积还要小，该第2反应层的厚度比该第1反应层的厚度还要薄。如申请专利范围第6项之多层陶瓷基板，其中，该陶瓷积层体之该第1及第2主面，分别具有未形成该第1及第2表面导体膜之第1及第2导体未形成区域，且分别位于该第1及第2导体未形成区域上之该第1及第2反应层各自的体积彼此实质上相同。一种多层陶瓷基板的翘曲抑制方法，系以具备以下步骤之制造方法来制造多层陶瓷基板：准备复合积层体之步骤，该复合积层体含有生陶瓷积层体及第1及第2收缩抑制层，该生陶瓷积层体系将包含低温烧成陶瓷材料之复数陶瓷生胚层积层所形成者、该第1及第2收缩抑制层系分别配置于此陶瓷积层体其相对向之第1及第2主面上且含有于能够让该低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结之无机材料的粉末；烧成步骤，在能够让该低温烧成陶瓷材料烧结的同时，分别沿着该陶瓷生胚层与该第1收缩抑制层之间的界面以及该陶瓷生胚层与该第2收缩抑制层之间的界面，在能让该低温烧成陶瓷材料与该无机材料互相产生化学反应而生成第1及第2反应层的烧成条件下，烧成该复合积层体；除去步骤，该烧成步骤之后，从该复合积层体除去该第1及第2收缩抑制层，其中：于准备阶段，具备以下步骤：以该制造方法预先制造具有既定设计之多层陶瓷基板之步骤；辨识预先制造之该多层陶瓷基板之翘曲状态之步骤；视该翘曲状态，决定能够抑制翘曲之该第1及第2反应层之各厚度之步骤；于之后的正式制造阶段，实施该制造方法，同时为了得到能够抑制翘曲所决定之该第1及第2反应层之各厚度，系在该除去步骤，减少该第1及第2反应层中至少一者之厚度。 |
