凸块结构

主权项

一种凸块结构，包括：至少一接垫，配置于一基板上；至少一第一高分子凸块，配置于该基板上；至少一第二高分子凸块，配置于该基板上，且接触于该至少一第一高分子凸块以构成独立的块体结构，其中该第一高分子凸块相对该第二高分子凸块较凸出于基板，且该第二高分子凸块由该第一高分子凸块远离该接垫延伸；以及一导电层，覆盖该第一高分子凸块，并与该接垫电性连接。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第一高分子凸块是位于该接垫之外、部分位于该接垫上或是完全位于该接垫上。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第二高分子凸块连接相邻两个或两个以上之第一高分子凸块。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第二高分子凸块之高度是小于或等于该第一高分子凸块之高度。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第二高分子凸块与该第一高分子凸块间的衔接处具有一沟槽或数个孔洞。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该导电层是全部或局部覆盖该第一高分子凸块。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该导电层是全部或局部覆盖该第二高分子凸块。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，更包括一保护层(passivation layer)，配置于该基板上，并暴露出该接垫。一种凸块结构，包括：至少一接垫，配置于一基板之一表面上；至少一第一高分子凸块，配置于该基板之该表面上；一高分子保护层(protection layer)，覆盖于该基板之该表面上，且接触于该第一高分子凸块，其中该第一高分子凸块与该高分子保护层是由同一膜层所组成；以及一导电层，覆盖该第一高分子凸块，并与该接垫电性连接，其中该高分子保护层由该第一高分子凸块远离该接垫延伸配置。如申请专利范围第9项所述之凸块结构，其中该第一高分子凸块是位于该接垫之外、部分位于该接垫上或是完全位于该接垫上。如申请专利范围第9项所述之凸块结构，其中该导电层覆盖该第一高分子凸块且延伸至部分该高分子保护层上。如申请专利范围第9项所述之凸块结构，其中该第一高分子凸块配置于该高分子保护层之上，该导电层覆盖部分该高分子保护层及该第一高分子凸块，且与该接垫电性连接。如申请专利范围第9项所述之凸块结构，其中该高分子保护层与该第一高分子凸块间的衔接处具有一沟槽或数个孔洞。如申请专利范围第9项所述之凸块结构，更包括一第二高分子凸块，配置于该高分子保护层上，且连接于该第一高分子凸块。如申请专利范围第14项所述之凸块结构，其中该第二高分子凸块连接于该第一高分子凸块之任一侧或两侧以上或其外围。如申请专利范围第14项所述之凸块结构，其中该第二高分子凸块连接相邻两个或两个以上之第一高分子凸块。如申请专利范围第14项所述之凸块结构，其中该第二高分子凸块之高度是小于或等于该第一高分子凸块之高度。如申请专利范围第14项所述之凸块结构，其中该第二高分子凸块与该第一高分子凸块间的衔接处具有一沟槽或数个孔洞。如申请专利范围第9项所述之凸块结构，更包括一保护层，配置于该基板上，并暴露出该接垫。