发明名称 晶片堆叠结构及其制作方法
摘要
申请公布号 TWI356485 申请公布日期 2012.01.11
申请号 TW097104601 申请日期 2008.02.05
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 施应庆;张恕铭
分类号 H01L25/04 主分类号 H01L25/04
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种晶片堆叠结构的制作方法,包括:提供一晶圆,该晶圆具有一第一表面、相对于该第一表面的一第二表面、多个位于该第一表面的第一接垫、多个位于第二表面的第二接垫以及多个贯通该第一与第二表面并与该些第一与第二接垫电性连接的导通结构;形成一第一导电层于该晶圆的该第一表面上,并覆盖该些第一接垫;形成一第一图案化高分子层于该第一导电层上,其中该第一图案化高分子层具有多个第一开口,以暴露出该第一导电层;形成一第二图案化高分子层于该第二表面上,该第二图案化高分子层具有多个第二开口,以暴露出该些第二接垫;电镀一第二导电层于该第一导电层上,且位于该些第一开口中;对该第二导电层进行加热,以形成多个焊料凸块于该些第一接垫上以及形成一图案化第一导电层,其中该图案化第一导电层具有一第一部分以及一与第一部份分离的第二部分,而该第一部份位于该些焊料凸块与该第一接垫之间,且该第二部分位于该第一图案化高分子层与该晶圆之间;将多个该晶圆相堆叠于一基底结构上,其中一第一晶圆藉由该些焊料凸块与其中一第二晶圆的该些第二接垫电性连接,且该第一晶圆藉由位于其上的该第一图案化高分子层与位于该第二晶圆上的该第二图案化高分子层对应连接。如申请专利范围第1项所述之晶片堆叠结构的制作方法,其中该第二导电层的材质包括锡或锡合金。如申请专利范围第1项所述之晶片堆叠结构的制作方法,其中形成该第一图案化高分子层于该第一导电层上的方法包括形成一第一高分子层于该第一导电层上,并对该第一高分子层进行图案化。如申请专利范围第3项所述之晶片堆叠结构的制作方法,其中对该第一高分子层进行图案化的方法包括曝光显影或微影蚀刻。如申请专利范围第1项所述之晶片堆叠结构的制作方法,当形成该些焊料凸块之后,更包括对该第一图案化高分子层进行图案化,以使该第一图案化高分子层具有多条第一沟槽,且每一第一沟槽与其中一第一开口相通并延伸至该晶圆边缘。如申请专利范围第5项所述之晶片堆叠结构的制作方法,对该第一图案化高分子层进行图案化的方法包括微影蚀刻或曝光显影。如申请专利范围第1项所述之晶片堆叠结构的制作方法,当形成该些焊料凸块之后,更包括对该第二图案化高分子层进行图案化,以使该第二图案化高分子层更具有多条第二沟槽,且每一第二沟槽与其中一第二开口相通并延伸至该晶圆边缘。如申请专利范围第1项所述之晶片堆叠结构的制作方法,其中对该第二导电层进行加热的方法为回焊。一种晶片堆叠结构,包括一基底结构以及多个堆叠于该基底结构上的晶片,其中每一该晶片具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面,且每一该晶片包括:多个第一接垫,位于该第一表面上;多个第二接垫,位于该第二表面上;多个导通结构,贯通该第一与第二表面并与该些第一与第二接垫电性连接;多个焊料凸块,分别配置于该些第一接垫上;一第一图案化高分子层以及一第二图案化高分子层,分别配置于该晶片的该第一表面与该第二表面,其中该第一图案化高分子层具有多个第一开口,且该些第一开口暴露出该些焊料凸块,该第二图案化高分子层具有多个第二开口,且该些第二开口暴露出该些第二接垫;一图案化导电层,具有一第一部分以及一与该第一部份分离的第二部分,而该第一部份位于该些焊料凸块与该第一接垫之间,且该第二部分位于该第一图案化高分子层与该晶片之间;以及其中一第一晶片藉由该些焊料凸块与其中一第二晶片的该些第二接垫电性连接,且该第一晶片藉由位于其上的该第一图案化高分子层与位于该第二晶片上的该第二图案化高分子层对应连接。如申请专利范围第9项所述之晶片堆叠结构,其中该些焊料凸块的材质包括锡或锡合金。如申请专利范围第9项所述之晶片堆叠结构,其中该第一图案化高分子层具有多条第一沟槽,且每一第一沟槽与其中一第一开口相通并延伸至该晶片边缘。如申请专利范围第9项所述之晶片堆叠结构,其中该第二图案化高分子层具有多条第二沟槽,且每一第二沟槽与其中一第二开口相通并延伸至该晶片边缘。如申请专利范围第9项所述之晶片堆叠结构,其中该基底结构具有一第三表面以及多个位于该第三表面的第三接垫,且该些第三接垫与该第二晶片藉由位于该些第三接垫与该第二晶片之间的该些焊料凸块而电性连接。
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