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一种发声装置，其包括：一电磁波信号输入装置；一发声元件，该发声元件与该电磁波信号输入装置对应且间隔设置，其改良在于，该发声元件包括至少一层奈米碳管薄膜，该奈米碳管薄膜包括多个相互平行的奈米碳管，该电磁波信号输入装置传递电磁波信号至该奈米碳管薄膜，使该奈米碳管薄膜通过吸收该电磁波信号发热，从而加热气体介质发出声波。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述奈米碳管薄膜中，奈米碳管并排设置，相邻两个奈米碳管相互接触，且相邻两个奈米碳管之间通过凡德瓦尔力紧密结合。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述奈米碳管薄膜中的相邻两个奈米碳管之间的距离小于5微米。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述发声元件包括至少两层重叠设置的奈米碳管薄膜，相邻两层奈米碳管薄膜之间通过凡德瓦尔力紧密结合，且相邻两层奈米碳管薄膜中的奈米碳管的排列方向形成一夹角α，0度≦α≦90度。如申请专利范围第4项所述的发声装置，其中，所述发声元件为一网状结构，该网状结构包括均匀分布的微孔，该微孔的孔径小于5微米。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述奈米碳管为单壁奈米碳管、双壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一种或多种。如申请专利范围第4项所述的发声装置，其中，所述单壁奈米碳管的直径为0.5奈米~50奈米，所述双壁奈米碳管的直径为1.0奈米~50奈米，所述多壁奈米碳管的直径为1.5奈米~50奈米。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述发声元件的厚度为0.5奈米~1毫米。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，该发声装置进一步包括一支撑结构，所述发声元件通过该支撑结构固定设置。如申请专利范围第9项所述的发声装置，其中，所述支撑结构为一平面或曲面结构，并具有一表面，所述发声元件直接设置并贴合于该支撑结构的表面。如申请专利范围第9项所述的发声装置，其中，所述支撑结构为一框架结构、杆状结构或不规则形状结构，所述发声元件通过该支撑结构部分悬空设置。如申请专利范围第11项所述的发声装置，其中，所述发声装置进一步包括一拢音结构，所述拢音结构设置于发声元件远离电磁波信号输入装置的一侧，与所述发声元件相对并间隔设置。如申请专利范围第9项所述的发声装置，其中，所述支撑结构的材料为金刚石、玻璃、石英、塑胶、树脂、木质材料或纸质材料。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述发声装置进一步包括一拢音结构，所述拢音结构包括一亥姆霍兹共振腔，所述发声元件通过该拢音结构固定设置。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述电磁波信号为无线电波、红外线、可见光、紫外线、微波、X射线及γ射线中的一种或多种。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述电磁波信号输入装置包括一光信号源，所述电磁波信号输入装置通过该光信号源发出光信号，该光信号的波长范围为从紫外区至远红外区之间。如申请专利范围第16项所述的发声装置，其中，所述光信号源为一脉冲雷射发生器。如申请专利范围第16项所述的发声装置，其中，所述电磁波信号输入装置进一步包括一光纤，该光纤一端与所述光信号源连接，另一端延伸至所述奈米碳管薄膜附近，所述光信号通过光纤传递至奈米碳管薄膜。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，该发声装置进一步包括一调制装置，该调制装置设置于所述电磁波信号输入装置与发声元件之间，且位于所述电磁波信号的传输路径上，该调制装置包括强度调制装置、频率调制装置或两者的结合。如申请专利范围第1项所述的发声装置，其中，所述电磁波信号的平均功率密度为1μW/mm2~20W/mm2。 |
