发明名称 |
形成精细图案的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种形成精细图案的方法,包括以下步骤:在基础层上形成具有酸扩散速率的第一辅助层;述第一辅助层上形成透光的第二辅助层,所述第二辅助层具有比第一辅助层更慢的酸扩散速率;将第一辅助层和第二辅助层曝光,以在第一辅助层和第二辅助层的曝光区域中产生酸;以使酸在第一辅助层中扩散得比在第二辅助层中更快的方式,使用烘焙工艺来使酸扩散;去除第一辅助层和第二辅助层中的酸扩散区域,以形成第一辅助图案和第二辅助图案,第二辅助图案的宽度比第一辅助图案更宽;使用硬掩模材料填充第一辅助层的去除区域;以及去除在第二辅助图案之间暴露的硬掩模材料,以在第一辅助图案的侧壁上形成硬掩模图案。 |
申请公布号 |
CN102315099A |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN201010558609.2 |
申请日期 |
2010.11.25 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
金大祐 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;黄启行 |
主权项 |
一种形成精细图案的方法,包括以下步骤:在基础层上形成具有酸扩散速率的第一辅助层;在所述第一辅助层上形成透光的第二辅助层,所述第二辅助层具有比第一辅助层更慢的酸扩散速率;将所述第一辅助层和所述第二辅助层曝光,以在所述第一辅助层和所述第二辅助层的曝光区域中产生酸;以使酸在所述第一辅助层中比在所述第二辅助层中扩散得更快的方式,使用烘焙工艺来使所述酸扩散;去除所述第一辅助层和所述第二辅助层中的酸扩散区域,以形成第一辅助图案和第二辅助图案,所述第二辅助图案的宽度比所述第一辅助图案更宽;使用硬掩模材料填充所述第一辅助层的去除区域;以及去除在所述第二辅助图案之间暴露的硬掩模材料,以在所述第一辅助图案的侧壁上形成硬掩模图案。 |
地址 |
韩国京畿道 |