化学敏感的场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及用于制造场效应晶体管、尤其用于气体传感器的化学敏感的场效应晶体管的方法。为了提高可采用的处理技术和材料的数量以及在处理衬底的顺序上的变化可能性，在该方法的范畴内构造一个栅绝缘保护层（3），其中该栅绝缘保护层（3）在进一步处理时保护该栅绝缘层（2）以防止环境影响，并在构造栅极层之前被部分或完全地去除。此外本发明还涉及这种场效应晶体管以及其应用。

主权项

用于制造场效应晶体管、尤其用于气体传感器的化学敏感的场效应晶体管的方法，包含有以下的方法步骤：a)提供由半导体材料构造的衬底层（1）；b)在该衬底层（1）上构造栅绝缘层（2）；c)在该栅极层（2）上构造至少一个栅绝缘保护层（3，3`，3``，3```）；d)完全或部分地去除栅绝缘保护层（3，3`，3``，3```）；以及e)在该栅绝缘层（2）上或者在栅绝缘保护层（3，3`，3``，3```）的剩余部分上构造栅极层（6）。