发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 在半导体装置和半导体装置的制造方法中,像素部分205的源极电线126是由低阻的材料(具有代表性的是铝,银,铜)而形成的。驱动电路的源极电线是在与像素部分的栅极电线162和像素电极163相同的形成过程中形成的。
申请公布号 CN1554974B 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN200410054416.8 申请日期 2001.11.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;小山润
分类号 G02F1/136(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 G02F1/136(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 梁永
主权项 一种液晶显示器的制造方法,包括:在衬底上形成基极绝缘膜;在上述基极绝缘膜上形成半导体层;在所述半导体层上形成第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上形成栅电极;使用所述栅电极作为掩模将提供n型的杂质元素掺杂到所述半导体层中,以形成第一n型杂质区域;蚀刻所述栅电极以形成栅电极的锥形部;将n型杂质元素掺杂到具有第一n型杂质区域的半导体层中,同时穿过所述栅电极的锥形部以此在第一n型杂质区域和沟道形成区域之间形成第二n型杂质区域;形成第二绝缘膜以覆盖所述栅电极;在所述第二绝缘膜上形成像素部分的源极电线;形成第三绝缘膜以覆盖所述像素部分的源极电线;在所述第三绝缘膜上形成驱动电路的源极电线和像素部分的栅极电线;使用密封件将相对的衬底粘合到所述衬底;以及将液晶材料注入到所述相对的衬底与所述衬底之间的空间。
地址 日本神奈川县厚木市