| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件形成于半导体衬底上，所述半导体器件包括：栅极、源区、漏区和体接触区，其中，半导体衬底包括有源区，该有源区包括位于栅极内侧的第一区，位于栅极外侧、与栅极相邻的第二区，以及与第二区相接的第三区，所述漏区分布于所述第一区中，所述源区分布于所述第二区中，以及所述体接触区分布于第三区中。 | ||
| 申请公布号 | CN102315271A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201010227268.0 | 申请日期 | 2010.07.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，形成于半导体衬底上，所述半导体器件包括：栅极、源区、漏区和体接触区，其中，半导体衬底包括有源区，该有源区包括位于栅极内侧的第一区，位于栅极外侧、与栅极相邻的第二区，以及与第二区相接的第三区，所述漏区分布于所述第一区中，所述源区分布于所述第二区中，以及所述体接触区分布于第三区中。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||