发明名称 |
半导体设备 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体设备。该半导体设备包括具有焊盘的基板、内部电路系统区域、以及形成于基板上的保护电阻。焊盘通过导线连接到保护电阻的第一电极,内部电路系统区域通过导线连接到保护电阻的第二电极,保护电阻阻止内部电路系统区域发生静电释放。该半导体设备的特征在于,该焊盘置于保护电阻与内部电路系统区域之间。 |
申请公布号 |
CN1938844B |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN200580009840.3 |
申请日期 |
2005.03.29 |
申请人 |
株式会社理光 |
发明人 |
上里英树;吉井宏治;奥田继范 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
杨梧;王景刚 |
主权项 |
一种半导体设备,其包括具有焊盘的基板、内部电路系统区域、以及形成于基板上的保护电阻,所述半导体设备包括:焊盘,其通过导线连接到所述保护电阻的第一电极;内部电路系统区域,其通过导线连接到所述保护电阻的第二电极;以及保护电阻,其保护所述内部电路系统区域免于发生静电释放;其中所述第一电极与内部电路系统区域之间的距离大于所述第二电极与内部电路系统区域之间的距离,其中所述基板设有围绕所述焊盘、内部电路系统区域以及保护电阻的防护环区域;以及从矩形的所述第一电极的两个相邻的侧边到毗邻所述第一电极的防护环区域的距离相等。 |
地址 |
日本东京都 |