| 发明名称 | 形成图案的薄SOI | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于电子器件或光电器件的结构的处理方法，该结构依次包括：体衬底，氧化物层，和半导体层。该方法包括设置掩模部件在半导体层上限定希望的图案，并进行热处理，在氧化物层与所述希望的图案对应的区域内除去受控厚度的氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN101636832B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200780052185.9 | 申请日期 | 2007.03.19 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | 奥列格·科农丘克 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 丁文蕴 |
| 主权项 | 处理用于电子器件或光电器件的结构(50)的方法，该结构依次包括：‑体衬底(20)，‑氧化物层(30)，以及‑半导体层(10)，其特征在于，该方法包括：设置掩模部件以在该半导体层(10)上限定希望的图案，与所述希望的图案相对应的半导体层(10)的区域(12)具有受控厚度，以及在惰性或还原性气氛中，以受控的温度和受控的持续时间进行热处理，其中，选择与所述希望的图案相对应的半导体层的区域(12)的受控厚度、所述受控的温度和持续时间，用于在与所述希望的图案相对应的氧化物层(30)的区域(32)内除去受控厚度的氧化物。 | ||
| 地址 | 法国贝南 | ||