发明名称 |
用于去除衬底上的残留物的刻蚀后处理系统 |
摘要 |
本发明描述了用于去除光刻胶和在刻蚀工艺期间形成的刻蚀残余物的刻蚀后处理系统。例如,刻蚀残余物可以包括含卤素材料。刻蚀后处理系统包括真空室、耦合到真空室的自由基产生系统、耦合到自由基参数系统并被配置来将反应自由基分配在衬底上方的自由基气体分配系统、以及耦合到真空室并被配置来支撑衬底的高温支座。高温支座包括被配置来最小化衬底滑动的刻槽上表面。 |
申请公布号 |
CN101410941B |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN200780011322.4 |
申请日期 |
2007.02.07 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
塚本雄二;工藤恭久;托马斯·哈梅林 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
李剑;南霆 |
主权项 |
一种处理系统,包括:处理室,其包含处理空间;远程自由基产生系统,其耦合到所述处理室并被配置来接收处理气体并由所述处理气体产生自由基,并将所述自由基传输到所述处理室中衬底上方的所述处理空间;支座,其耦合到所述处理室并被配置来支撑所述处理室的所述处理空间中的衬底并控制所述衬底的温度,其中所述支座包含形成在所述支座的上表面中的一个或多个槽,并且其中所述一个或多个槽中的至少一个延伸到所述支座的最外周边缘,所述支座不具有背侧气流机构;以及真空泵吸系统,其耦合到所述处理室并被配置来抽空所述处理室。 |
地址 |
日本东京都 |