发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个方面的半导体器件,包括:在衬底上的半导体层;在上述半导体层上的隔离层;在上述隔离层上的钝化层;与上述半导体层电气相通的源极和漏极;以及在上述隔离层上的栅极;其中,上述栅极包括下部、中部和上部,上述下部和/或上述中部构成场板结构。 |
申请公布号 |
CN102315262A |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN201010226347.X |
申请日期 |
2010.07.06 |
申请人 |
西安能讯微电子有限公司 |
发明人 |
范爱民 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
杨晓光;刘瑞东 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:在衬底上的半导体层;在上述半导体层上的隔离层;在上述隔离层上的钝化层;与上述半导体层电气相通的源极和漏极;以及在上述隔离层上的栅极;其中,上述栅极包括下部、中部和上部,上述下部和/或上述中部构成场板结构。 |
地址 |
710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701 |