一种测量FET沟道温度的装置及方法

摘要

本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。

主权项

一种测量FET沟道温度的装置，其特征在于，包括高低温探针台，脉冲分析仪，以及，第Ⅰ探针，第Ⅱ探针、第Ⅲ探针，FET置于所述高低温探针台上，所述脉冲分析仪利用所述第Ⅰ探针在所述FET的栅端施加直流偏置电压，所述脉冲分析仪利用所述第Ⅱ探针在所述FET的漏端施加脉冲电压，所述FET的源端利用所述第Ⅲ探针与所述脉冲分析仪共同接地。