发明名称 具有多非易失性存储器的存储系统及其控制器与存取方法
摘要 一种非易失性存储器存储系统,其包括传输接口、存储器模块与控制器。存储器模块包括第一与第二非易失性存储器芯片,其中第一与第二非易失性存储器芯片会通过相同芯片使能管脚从控制器中同时接收芯片使能信号。当执行多通道存取时,第一与第二非易失性存储器芯片会在使能后接收到存取指令,并且当执行单通道存取时,第一与第二非易失性存储器芯片会在使能后分别地接收到存取指令NAND存取指令,其中非存取指令不会异动第一与第二非易失性存储器芯片中的数据。基此,可在较少芯片使能管脚的数目下执行多信道存取与单信道存取。
申请公布号 CN101609712B 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN200810125308.3 申请日期 2008.06.18
申请人 群联电子股份有限公司 发明人 杨俊勇;朱健华;郑国义;梁立群;叶志刚
分类号 G11C7/10(2006.01)I;G06F3/06(2006.01)I 主分类号 G11C7/10(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 蒲迈文
主权项 一种非易失性存储器存储系统,包括:一传输接口,用以连接一主机;一存储器模块,至少包括一第一非易失性存储器芯片与一第二非易失性存储器芯片,该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片会通过一芯片使能管脚同时接收一芯片使能信号而使能;以及一控制器,耦接至该传输接口与该存储器模块且用以输出该芯片使能信号,其中当该控制器执行一多通道存取时,该控制器会使能该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片后对该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片下达一存取指令,并且当该控制器执行一单通道存取时,该控制器会使能该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片后对该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片的其中之一下达该存取指令,且对该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片的另一个下达一非存取指令,其中该非存取指令不会异动存储在该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片中的数据。
地址 中国台湾苗栗县