发明名称 | 离子注入机台的检测方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种离子注入机台的检测方法,在进行机台检测之前,预先对控片注入一定剂量的离子,促使控片预先进入稳态,当后续进行机台检测时,可降低控片的第二离子注入剂量的递增速度,提高机台检测的精度。 | ||
申请公布号 | CN102315069A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
申请号 | CN201010228194.2 | 申请日期 | 2010.07.08 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈勇 |
分类号 | H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
主权项 | 一种离子注入机台的检测方法,该方法包括:步骤A、对控片预先进行离子注入;步骤B、对控片进行快速退火;步骤C、获取控片的第一离子注入剂量;步骤D、按照预先设置的离子注入剂量标准值,对控片进行离子注入;步骤E、获取控片的第二离子注入剂量;步骤F、判断离子注入的次数是否大于等于N次,如果已大于等于N次,则直接执行步骤G;否则,返回执行步骤B,其中,N为大于等于4的自然数;步骤G、判断N次所获取的第二离子注入剂量和离子注入剂量标准值的差值是否均在预先设置的第一阈值范围内,如果是,则判断离子注入机台合格;如果N次中任一次所获取的第二离子注入剂量和离子注入剂量标准值的差值大于或小于预先设置的第一阈值范围,则判断离子注入机台不合格。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |