| 发明名称 | 具有侧结的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：刻蚀衬底以形成沟槽；在所述沟槽之下的衬底中形成结区；将所述沟槽的底部刻蚀至一定的深度以形成侧结；及形成与所述侧结耦接的位线。 | ||
| 申请公布号 | CN102315161A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110038956.7 | 申请日期 | 2011.02.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 池连赫 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;张文 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：刻蚀衬底以形成沟槽；在所述沟槽之下的所述衬底中形成结区；将所述沟槽的底部刻蚀至一定的深度以形成侧结；以及形成与所述侧结耦接的位线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||