发明名称 |
高性能薄膜电阻及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高性能薄膜电阻及其制造方法,包括绝缘基板,在绝缘基板上设有电阻薄膜,在每个电阻薄膜的两侧设有引出电极,在每个电阻薄膜两侧边缘的顶面设有顶部电极,在电阻薄膜的顶面及顶部电极的顶面上设有绝缘保护膜。本发明采用掩膜工艺与沉积法结合的方式来制备薄膜电阻,该方法所易于产业化,所获得的产品各层之间的附着力强、质量好;还采用了化学稳定性好的金属来作为薄膜电阻的材料,以提高电阻材料的耐腐蚀性及热稳定性,使其可以在如高频、高温、高压、低温和太空等恶劣环境下使用,能被应用在众多的高科技领域,扩展了其适用范围。 |
申请公布号 |
CN102314978A |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN201110172418.7 |
申请日期 |
2011.06.24 |
申请人 |
贵州大学 |
发明人 |
邓朝勇;雷远清;崔瑞瑞;张荣芬 |
分类号 |
H01C7/00(2006.01)I;H01C1/00(2006.01)I;H01C1/14(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I;H01C17/075(2006.01)I |
主分类号 |
H01C7/00(2006.01)I |
代理机构 |
贵阳中新专利商标事务所 52100 |
代理人 |
程新敏 |
主权项 |
一种高性能薄膜电阻,包括绝缘基板(4),其特征在于:在绝缘基板(4)上设有电阻薄膜(3),在每个电阻薄膜(3)的两侧设有引出电极(1),在每个电阻薄膜(3)两侧边缘的顶面设有顶部电极(5),在电阻薄膜(3)的顶面及顶部电极(5)的顶面上设有绝缘保护膜(2)。 |
地址 |
550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处 |