发明名称 高性能薄膜电阻及其制备方法
摘要 本发明公开了一种高性能薄膜电阻及其制造方法,包括绝缘基板,在绝缘基板上设有电阻薄膜,在每个电阻薄膜的两侧设有引出电极,在每个电阻薄膜两侧边缘的顶面设有顶部电极,在电阻薄膜的顶面及顶部电极的顶面上设有绝缘保护膜。本发明采用掩膜工艺与沉积法结合的方式来制备薄膜电阻,该方法所易于产业化,所获得的产品各层之间的附着力强、质量好;还采用了化学稳定性好的金属来作为薄膜电阻的材料,以提高电阻材料的耐腐蚀性及热稳定性,使其可以在如高频、高温、高压、低温和太空等恶劣环境下使用,能被应用在众多的高科技领域,扩展了其适用范围。
申请公布号 CN102314978A 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN201110172418.7 申请日期 2011.06.24
申请人 贵州大学 发明人 邓朝勇;雷远清;崔瑞瑞;张荣芬
分类号 H01C7/00(2006.01)I;H01C1/00(2006.01)I;H01C1/14(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I;H01C17/075(2006.01)I 主分类号 H01C7/00(2006.01)I
代理机构 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人 程新敏
主权项 一种高性能薄膜电阻,包括绝缘基板(4),其特征在于:在绝缘基板(4)上设有电阻薄膜(3),在每个电阻薄膜(3)的两侧设有引出电极(1),在每个电阻薄膜(3)两侧边缘的顶面设有顶部电极(5),在电阻薄膜(3)的顶面及顶部电极(5)的顶面上设有绝缘保护膜(2)。
地址 550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处