半导体器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：SOI衬底；半导体鳍片，形成于SOI衬底上，鳍片包括立于SOI衬底表面相对的第一侧面和第二侧面，第二侧面相对于第一侧面的中间位置具有凹槽，凹槽背离第一侧面开口；沟道区，形成于鳍片上第一侧面与第二侧面的凹槽之间；源区和漏区，形成于鳍片上沟道区的两侧；栅堆叠，与鳍片的第一侧面邻接形成在SOI衬底上；其中，栅堆叠包括：第一栅介质层，背离第一侧面且与沟道区邻接形成；第一导体层，背离第一侧面且与第一栅介质层邻接形成；第二栅介质层，背离第一侧面且与第一导体层的侧面邻接形成；第二导体层，背离第一侧面与第二栅介质层的侧面邻接形成。本发明的实施例适用于FinFET的制造。

主权项

一种半导体器件，包括：SOI衬底；半导体鳍片，形成于所述SOI衬底上，所述鳍片包括立于所述SOI衬底表面相对的第一侧面和第二侧面，所述第二侧面相对于第一侧面的中间位置具有凹槽，所述凹槽背离所述第一侧面开口；沟道区，形成于所述鳍片上第一侧面与第二侧面的凹槽之间；源区和漏区，形成于所述鳍片上所述沟道区的两侧；栅堆叠，与所述鳍片的第一侧面邻接形成在所述SOI衬底上；其中，所述栅堆叠包括：第一栅介质层，背离所述第一侧面且与所述沟道区邻接形成；第一导体层，背离所述第一侧面且与所述第一栅介质层邻接形成；第二栅介质层，背离所述第一侧面且与所述第一导体层的侧面邻接形成；第二导体层，背离所述第一侧面与所述第二栅介质层的侧面邻接形成。