CIGS太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明揭露一种CIGS太阳能电池及其制造方法，包含玻璃基板、光吸收表面与光电转换结构。该玻璃基板的至少一表面具有多个阵列式凹凸部；该光吸收表面包含该阵列式凹凸部最顶端表面、该阵列式凹凸部最顶端延伸至最底端的表面与该阵列式凹凸部最底端基板除阵列式凹凸部的表面的集合；该光电转换结构由CIGS化合物的n型半导体层、p型半导体层与位于n型半导体层与p型半导体层间的i型半导体层所组成。本发明通过增加光吸收面积而提升光吸收量，并结合n-i-p结构的设计来增加其光电转换效率，故能降低生产成本并提高太阳能的经济价值。

主权项

一种CIGS太阳能电池，其特征在于，包含：一玻璃基板，该玻璃基板的至少一表面包含多个阵列式凹凸部，该些阵列式凹凸部的最顶端延伸至最底端的距离为一预定深度；一光吸收表面，包含该些阵列式凹凸部最顶端形成表面、该些阵列式凹凸部由最顶端延伸至最底端所形成表面与该些阵列式凹凸部最底端基板除阵列式凹凸部所形成表面的集合；以及一光电转换结构，该光电转换结构由下列各层所组成：一n型半导体层，位于该光吸收表面上方，且n型半导体层为一CIGS类化合物；一p型半导体层，位于该n型半导体层上方，且该p型半导体层为一氧化物；以及一i型半导体层，位于该n型半导体层与该p型半导体层间，且该i型半导体层为一氧化物。