发明名称 |
Halbleiterbaulelement mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großemξund Präzisions-eSicherungen, die in dem aktiven Halbleitermaterial hergestellt sind |
摘要 |
In einem komplexen Halbleiterbauelement werden elektronische Sicherungen in dem aktiven Halbleitermaterial hergestellt, wobei ein Halbleitermaterial mit reduzierter Wärmeleitfähigkeit selektiv im Sicherungskörper verwendet wird, wobei in einigen anschaulichen Ausführungsformen der Sicherungskörper durch ein nicht-silizidiertes Halbleiterbasismaterial begrenzt ist.
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申请公布号 |
DE102010030765(A1) |
申请公布日期 |
2012.01.05 |
申请号 |
DE20101030765 |
申请日期 |
2010.06.30 |
申请人 |
GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ONE LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG;GLOBALFOUNDRIES INC. |
发明人 |
KURZ, ANDREAS;KRONHOLZ, STEPHAN |
分类号 |
H01L21/768;H01L23/62 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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