| 发明名称 |
Modifizierung von Siliciumschichten aus Silan-haltigen Formulierungen |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer sauerstoffhaltigen Oberfläche oder Grenzfläche einer Siliziumschicht, die auf einem Substrat angeordnet ist, insbesondere bei der Herstellung photovoltaischer Geräte.</p> |
| 申请公布号 |
DE102010030696(A1) |
申请公布日期 |
2012.01.05 |
| 申请号 |
DE20101030696 |
申请日期 |
2010.06.30 |
| 申请人 |
EVONIK DEGUSSA GMBH |
发明人 |
STUETZEL, BERNHARD, DR.;FAHRNER, WOLFGANG, PROF. |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01L21/208;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
