Transistor mit eingebettetem Si/Ge-Material mit geringerem Abstand und besserer Gleichmäßigkeit

摘要

In komplexen Halbleiterbauelementen wird eine verformungsinduzierende eingebettete Halbleiterlegierung auf der Grundlage eines kristallographisch anisotropen Ätzprozesses und eines selbstbegrenzenden Abscheideprozesses bereitgestellt, wobei Transistoren, die die eingebettete verformungsinduzierende Halbleiterlegierung nicht erfordern, unmaskiert bleiben, wodurch eine bessere Gleichmäßigkeit im Hinblick auf den gesamten Transistoraufbau erreicht wird. Folglich können bessere Verformungsbedingungen in einer Art an Transistor erreicht werden, wobei generell Schwankungen in den Transistoreigenschaften für jegliche Arten an Transistoren reduziert werden.