| 发明名称 | 用于硅单晶衬底的损伤蚀刻和纹理化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于对单晶硅衬底(尤其是用作太阳能电池或光伏电池的单晶硅衬底)执行损伤蚀刻和纹理化的方法。利用TMAH溶液进行损伤蚀刻然后利用与IPA混合的KOH或NaOH溶液进行纹理化是尤其有利的。利用乙二醇替代一些IPA可进一步改进结果。还公开了将损伤蚀刻和纹理化蚀刻组合到单个步骤中的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN102308363A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN201080007016.5 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 联仕电子化学材料股份有限公司 | 发明人 | C·多弗;C·达顿;G·鲍尔;C·迈尔斯;M·拜隆奇 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/461(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 毛力 |
| 主权项 | 一种从单晶硅表面去除损伤的方法，包括：用氢氧化四甲铵溶液处理所述单晶硅表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄县大寮乡建业路31号 | ||