发明名称 |
一种SiC陶瓷与SiC陶瓷之间的高温液相连接方法 |
摘要 |
本发明涉及陶瓷与陶瓷高温连接的方法,公开了一种SiC陶瓷与SiC陶瓷之间的高温液相连接方法。它主要包括下述步骤:(1)制备Ni-Si膏剂;(2)前处理SiC陶瓷和制作Mo片;(3)涂敷Ni-Si膏剂;(4)装配及高温连接。本发明可实现SiC陶瓷与SiC陶瓷之间的低反应高温液相连接,而且工艺方法简单、经济,可规模化生产,制备的连接件结构可靠,可用于承载和高温应用的场合。 |
申请公布号 |
CN101709000B |
申请公布日期 |
2012.01.04 |
申请号 |
CN200910219183.5 |
申请日期 |
2009.11.27 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
乔冠军;刘桂武;卢天健;帕索里尼·阿尔贝托;瓦伦扎·法必西欧;默罗·玛丽亚·路易贾 |
分类号 |
C04B37/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B37/00(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
惠文轩 |
主权项 |
一种SiC陶瓷与SiC陶瓷之间的高温液相连接方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)制备Ni‑Si膏剂:将Ni‑Si合金粉末滚混球磨、过筛,装入玻璃瓶中,再加入草酸乙二酯和胶棉溶液,搅拌至少30min,制成Ni‑Si膏剂,待用;(2)前处理SiC陶瓷和制作Mo片:将两个对接的SiC陶瓷的连接面依次磨平、抛光、清洗和干燥,再剪裁加工Mo片与SiC陶瓷连接面大小相适应,并清洗和干燥;(3)涂敷Ni‑Si膏剂:在两个对接的SiC陶瓷的连接面分别涂敷Ni‑Si膏剂层,或在Mo片的两表面分别涂敷Ni‑Si膏剂层,然后晾干;(4)装配及高温连接:将Mo片置于两个对接的SiC陶瓷的连接面之间,施压固定,然后在真空炉中,加热至1330~1400℃,保温5~30min,冷却至室温,即可。 |
地址 |
710049 陕西省西安市碑林区咸宁路28号 |