| 主权项 |
一种亚阈值MOSFET带隙基准源，它包括启动电路(31)，保证上电后整个基准源时刻处于导通工作状态；正温度系数电流产生电路(32)，用于产生一个与绝对温度成正比的支路电流；负温度系数电流产生电路(33)，用于产生一个与绝对温度成反比的支路电流；基准电压产生电路(34)，将上述两条支路电流汇合并相互抵消温度的影响，最终产生一个零温度系数的基准电压；其特征在于：所述的负温度系数电流产生电路(33)由第一PMOSFET(MP5)、第二PMOSFET(MP6)、第三PMOSFET(MP7)，第一NMOSFET(MN4)、第二NMOSFET(MN5)、偏置电阻(R2)、极点调节电容(C1)和调制电压发生器电路组成，其中调制电压发生器电路由变阻器(41)、运算放大器(42)和第一滤波电容(C3)、第二滤波电容(C4)组成；第一NMOSFET(MN4)工作在亚阈值区域，第一NMOSFET(MN4)的体端与调制电压发生器中的运算放大器(42)的输出端相连，第一NMOSFET(MN4)的源端接参考地(GND)，第一NMOSFET(MN4)的漏端与第一PMOSFET(MP5)的漏端、第二NMOSFET(MN5)的栅端、极点调节电容(C1)的一端相连，极点调节电容(C1)的另一端接参考地(GND)，第一NMOSFET(MN4)的栅端与偏置电阻(R2)的一端、第二PMOSFET(MP6)的漏端相连，偏置电阻(R2)的另一端接参考地(GND)，第二NMOSFET(MN5)的漏端与第三PMOSFET(MP7)的漏端、第三PMOSFET(MP7)的栅端相连，第二NMOSFET(MN5)的源端和体端均接参考地(GND)，第一PMOSFET(MP5)的源端和体端均接参考电源(Vdd)，第二PMOSFET(MP6)的栅端与第三PMOSFET(MP7)的漏端、第三PMOSFET(MP7)的栅端相连，第二PMOSFET(MP6)和第三PMOSFET(MP7)的源端和体端均接参考电源(Vdd)；在所述的调制电压发生器电路中，变阻器(41)的第一端接参考电源(Vdd)，第二端接参考地(GND)，第三端与运算放大器(42)的正输入端、第一滤波电容(C3)的一端相连，第一滤波电容(C3)的另一端接参考地(GND)，运算放大器(42)的输出端与自身负输入端、第二滤波电容(C4)的一端相连，运算放大器(42)的输出端亦为所述的调制电压发生器电路的输出端，第二滤波电容(C4)的另一端接参考地(GND)。 |
