大功率芯片连接的低温烧结方法及纳米银膏厚度控制装置

摘要

本发明公开一种大功率芯片连接的低温烧结方法及纳米银膏厚度控制装置，方法：将已通过纳米银膏厚度控制装置设定好纳米银膏厚度的具有纳米银膏的大功率芯片结构放入在烧结炉内并放置设定的时间；给烧结炉快速升温至50℃，保温10分钟；给烧结炉快速升温至125℃，保温20分钟；给烧结炉快速升温至烧结温度，保温30-60分钟，然后炉冷至室温。装置有：加载支座，设置在加载支座内的用于放置具有纳米银膏的大功率芯片结构并测量该大功率芯片中纳米银膏厚度的测量支撑结构，以及贯穿加载支座的上端并伸入到加载支座内由上至下对测量支撑结构施加压力的加载螺钉。本发明可降低混合动力汽车的制造和维护成本，节能降耗且环保降低二氧化碳的排放。

主权项

一种大功率芯片连接的低温烧结方法，其特征在于，包括有如下阶段：第一阶段：将已通过纳米银膏厚度控制装置设定好纳米银膏厚度的具有纳米银膏的大功率芯片结构放入在烧结炉内并放置设定的时间；第二阶段：给烧结炉快速升温至50℃，保温10分钟；第三阶段：给烧结炉快速升温至125℃，保温20分钟；第四阶段：给烧结炉快速升温至烧结温度，保温30‑60分钟，然后炉冷至室温。