发明名称 用于半导体晶片与装置的具有阻挡层的镍锡接合体系
摘要 公开了一种发光二极管结构(37),其包括由外延层(21,22)形成的发光激活部和支承该激活部的载体基底(23)。以镍和锡为主的接合金属体系(27)将该激活部连接至该载体基底。至少一层钛粘附层(25,26)在该激活部与该载体基底之间,铂阻挡层(35,40)在该镍-锡接合体系与该钛粘附层之间。该铂层具有的厚度足以基本上防止该镍锡接合体系中的锡迁移至该钛粘附层中或迁移通过该钛粘附层。
申请公布号 CN101828274B 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN200880111927.5 申请日期 2008.08.12
申请人 科里公司 发明人 马修·德奥诺费奥;大卫·B·斯雷特;约翰·A·埃德蒙德;华双·孔
分类号 H01L33/00(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种发光二极管结构,其包括:由外延层形成的发光激活部;用于支承所述发光激活部的载体基底;以镍和锡为主的接合金属体系,其将所述发光激活部连接至所述载体基底,其中所述接合金属体系以小于50重量%的量包含金;和至少一个与所述接合金属体系相邻的阻挡层,所述阻挡层包含足以基本上防止所述接合金属体系中的锡迁移通过所述阻挡层的厚度的铂。
地址 美国北卡罗来纳州