| 主权项 |
一种互补式金氧半导体(CMOS)电晶体之制作方法，包含：提供一半导体基底，该半导体基底上具有至少一第一主动区域以及至少一第二主动区域，且该第一主动区域与该第二主动区域各包含一闸极结构；形成一第一轻掺杂汲极于该第一主动区域之该闸极结构两侧；形成一犠牲层覆盖该半导体基底；进行一蚀刻制程，蚀刻该第一主动区域内之该犠牲层以及该第一主动区域之该闸极结构两侧的该半导体基底表面，并形成至少一凹槽于该第一主动区域之该闸极结构两侧；进行一选择性磊晶成长(selective epitaxial growth)制程，于该凹槽内形成一磊晶层；移除该犠牲层；以及于该犠牲层移除后，于该第二主动区域之该闸极结构两侧形成一第二轻掺杂汲极。如请求项1所述之制作方法，其中于该第一轻掺杂汲极形成后，形成至少一第一侧壁子于该等闸极结构之侧壁。如请求项2所述之制作方法，其中该第一侧壁子系包含氧化矽、氮化矽或前述组合之多层结构。如请求项2所述之制作方法，其中于该第二轻掺杂汲极形成后，形成一第二侧壁子于该等闸极结构之侧壁。如请求项4所述之制作方法，于该第二侧壁子形成后，分别形成一汲极/源极于该第一主动区域与该第二主动区域。如请求项1所述之制作方法，其中该第一主动区域系为一PMOS电晶体区域，该第二主动区域系为一NMOS电晶体区域，且该磊晶层包含矽锗化合物(SiGe)。如请求项1所述之制作方法，其中该第一主动区域系为一NMOS电晶体区域，该第二主动区域系为一PMOS电晶体区域，且该磊晶层包含碳矽化合物(SiC)。如请求项1所述之制作方法，其中于该第一轻掺杂汲极或该第二轻掺杂汲极形成后，进行一快速升温制程。如请求项1所述之制作方法，其中该犠牲层包含氧化矽或氮化矽。一种互补式金氧半导体电晶体之制作方法，包含：提供一半导体基底，该半导体基底上具有至少一第一主动区域以及至少一第二主动区域，且该第一主动区域与该第二主动区域各包含一闸极结构；于该第一主动区域之该闸极结构两侧以及该第二主动区域之该闸极结构两侧分别形成一第一轻掺杂汲极以及一第二轻掺汲极；形成一犠牲层覆盖该半导体基底；进行一蚀刻制程，蚀刻该第一主动区域之该犠牲层以及该第一主动区域之该闸极结构两侧的该半导体基底表面，并形成至少一凹槽于该第一主动区域之该闸极结构两侧；进行一选择性磊晶成长制程，于该凹槽内形成一磊晶层；移除该犠牲层；形成一第三轻掺杂汲极于该第二主动区域之该闸极结构两侧；以及分别形成一汲极/源极于该第一主动区域与该第二主动区域。如请求项10所述之制作方法，其中于该第一轻掺杂汲极形成及该第二轻掺杂汲极形成后，形成至少一第一侧壁子于该等闸极结构之侧壁。如请求项11所述之制作方法，其中该第一侧壁子系包含氧化矽、氮化矽或前述组合之多层结构。如请求项11所述之制作方法，其中于该第三轻掺杂汲极形成后，形成一第二侧壁子于该等闸极结构之侧壁。如请求项10所述之制作方法，其中该第一主动区域系为一PMOS电晶体区域，该第二主动区域系为一NMOS电晶体区域，且该磊晶层包含矽锗化合物。如请求项10所述之制作方法，其中该第一主动区域系为一NMOS电晶体区域，该第二主动区域系为一PMOS电晶体区域，且该磊晶层包含碳矽化合物。如请求项10所述之制作方法，其中于该第一轻掺杂汲极形成后、该第二轻掺杂汲极形成后或该第三轻掺杂汲极形成后，进行一快速升温制程。如请求项10所述之制作方法，其中该犠牲层包含氧化矽或氮化矽。 |
