| 主权项 |
一种用于操作一记忆系统之方法，该记忆系统包括一非挥发性记忆体，该非挥发性记忆体具有复数个实体区块与包括一擦除计数区块之复数个资料结构，该擦除计数区块含有该等复数个实体区块之每一实体区块之一状态，该方法包含：判定何时更新该等复数个资料结构之至少一资料结构之内容；当判定将更新该至少一资料结构之该等内容时，将一更新该至少一资料结构之该等内容之请求排入伫列；执行该请求以更新该至少一资料结构之该等内容。如请求项1之方法，更新该至少一资料结构之该等内容包括更新该擦除计数区块之该等内容，以指示该等复数个实体区块之每一实体区块之实质上当前的状态。如请求项1之方法，其中该等复数个资料结构包括一第一资料结构，其经配置以含有识别在该等复数个实体区块中，经历相对低次数写入及擦除循环之可用实体区块的资讯，其中相对低次数写入及擦除循环系由与该等可用实体区块相关之该状态所指示，而其中执行更新该至少一资料结构之该等内容之该请求包括更新该第一资料结构之内容。如请求项1之方法，其中该等复数个资料结构包括一第一资料结构，其经配置以含有识别在该等复数个实体区块中，经历相对高次数写入及擦除循环之可用实体区块的资讯，其中相对高次数写入及擦除循环系由与该等可用实体区块相关联之该状态所指示，而其中执行更新该至少一资料结构之该等内容之该请求包括更新该第一资料结构之内容。如请求项1之方法，其中该等复数个资料结构包括一第一资料结构，其经配置以含有当向该记忆系统供电时该记忆系统使用之资讯，且其中执行更新该至少一资料结构之该等内容之该请求包括更新该第一资料结构之内容。如请求项5之方法，其中该第一资料结构为一电源管理区块。如请求项1之方法，其中将更新该至少一资料结构之该等内容之该请求排入伫列包括：添加该请求至待执行之程序与应用程式之一伫列，而在该该伫列中，该请求被指派为相对低之优先级。如请求项7之方法，其中执行更新该至少一资料结构之该等内容之该请求包括，当除了更新该至少一资料结构之该等内容之该请求以外，该伫列实质上为空时，执行更新该至少一资料结构之该等内容之该请求。如请求项1之方法，其中判定何时将更新该等复数个资料结构之该至少一资料结构之该等内容包括将一第一值与一临限值比较，其中当该第一值大体上等于该临限值时，判定更新该至少一资料结构之该等内容。如请求项1之方法，其中判定何时将更新该等复数个资料结构之该至少一资料结构之该等内容包括获得与该记忆系统相关联之一时间，并判定该时间何时指示将更新该至少一资料结构之该等内容。如请求项1之方法，其中该非挥发性记忆体为一NAND快闪记忆体。一种用于操作一记忆系统之方法，该记忆系统包括一非挥发性记忆体，该非挥发性记忆体具有复数个实体区块与包括一擦除计数区块之复数个资料结构，该擦除计数区块含有该等复数个实体区块之至少一实体区块之一擦除计数，该擦除计数经配置以指示已擦除该等复数个实体区块之该至少一实体区块之次数，该方法包含：判定该记忆系统中将于何时执行一内部维护处理序，其中该内部维护处理序经配置以更新该擦除计数区块中该等复数个实体区块之该至少一实体区块之该擦除计数；当判定将执行该内部维护请求时，将该内部维护处理序之一请求排入伫列；及执行该内部维护处理序。如请求项12之方法，其中执行该内部维护处理序包括：更新该擦除计数区块中该等复数个实体区块中之该至少一实体区块之该擦除计数；及更新该等复数个资料结构之一第一资料结构，该第一资料结构经配置以含有当向该记忆系统供电时使用之资讯，其中该资讯包括该等复数个实体区块中之该至少一实体区块之该擦除计数。如请求项13之方法，其中执行该内部维护处理序进一步包括：更新该等复数个资料结构之一第二资料结构之内容，该第二资料结构经配置以大体上识别该等复数个实体区块中具有相对低擦除计数之一组实体区块；及更新该等复数个资料结构之一第三资料结构之内容，该第三资料结构经配置以大体上识别该等复数个实体区块中具有相对高擦除计数之一组实体区块。如请求项12之方法，其中判定何时将执行该内部维护处理序包括将一第一值与一临限值比较，其中当该第一值大体上等于该临限值时，判定将执行该内部维护处理序。如请求项12之方法，其中判定何时将执行该内部维护处理序包括获得一与该记忆系统相关联之时间，并判定该时间何时指示将执行该内部维护处理序。一种记忆装置，其包含：一非挥发性记忆体，该非挥发性记忆体包括复数个实体区块与一擦除计数区块，该擦除计数区块经配置以储存与该等复数个实体区块之至少一实体区块相关联之一擦除计数；第一码装置，其经配置以判定何时将于该记忆系统中执行一内部维护处理序，其中该内部维护处理序经配置以更新该擦除计数区块中该等复数个实体区块之该至少一实体区块之该擦除计数；第二码装置，其经配置以于判定将执行该内部维护请求时，将该内部维护处理序之一请求排入伫列；第三码装置，其经配置以执行该内部维护处理序；及一储存该等码装置之媒体。如请求项17之记忆装置，其中经配置以执行该内部维护处理序之该等第三码装置包括：第四码装置，其经配置以更新该擦除计数区块中该等复数个实体区块中之该至少一实体区块之该擦除计数；及第五码装置，其经配置以更新该等复数个资料结构之一第一资料结构，该第一资料结构经配置以含有当向该记忆系统供电时使用之资讯，其中该资讯包括该等复数个实体区块中之该至少一实体区块之该擦除计数。如请求项18之记忆装置，其中经配置以执行该内部维护处理序之该等第三码装置进一步包括：第六码装置，其经配置以更新该等复数个资料结构之一第二资料结构之内容，该第二资料结构经配置以大体上识别该等复数个实体区块中具有相对低擦除计数之一组实体区块；及第七码装置，其经配置以更新该等复数个资料结构之一第三资料结构之内容，该第三资料结构经配置以大体上识别该等复数个实体区块中具有相对高擦除计数之一组实体区块。如请求项17之记忆装置，其中经配置以判定何时将执行该内部维护处理序之该等第一码装置包括经配置以将一第一值与一临限值比较之第八码装置，其中当该第一值大体上等于该临限值时，判定将执行该内部维护处理序。如请求项17之记忆装置，其中经配置以判定何时将执行该内部维护处理序之该等第一码装置包括经配置以获得与该记忆系统相关联之一时间之第九码装置，与经配置以判定该时间何时指示将执行该内部维护处理序之第十码装置。一种记忆装置，其包含：一非挥发性记忆体，该非挥发性记忆体包括复数个实体区块与一擦除计数区块，该擦除计数区块经配置以储存与该等复数个实体区块之至少一实体区块相关联之一擦除计数；用于判定该记忆系统中何时将执行一内部维护处理序之构件，其中该内部维护处理序经配置以更新该擦除计数区块中该等复数个实体区块之该至少一实体区块之该擦除计数；用于当判定将执行该内部维护请求时，将该内部维护处理序之一请求排入伫列之构件；及用于执行该内部维护处理序之构件。如请求项22之记忆装置，其中用于执行该内部维护处理序之该等构件包括：用于更新该擦除计数区块中该等复数个实体区块之该至少一实体区块之该擦除计数之构件；及用于更新该等复数个资料结构之一第一资料结构之构件，该第一资料结构经配置以含有当向该记忆系统供电时使用之资讯，其中该资讯包括该等复数个实体区块中之该至少一实体区块之该擦除计数。如请求项23之记忆装置，其中用于执行该内部维护处理序之该等构件进一步包括：用于更新该等复数个资料结构之一第二资料结构之内容之构件，该第二资料结构经配置以大体上识别该等复数个实体区块中具有相对低擦除计数之一组实体区块：及用于更新该等复数个资料结构之一第三资料结构之内容之构件，该第三资料结构经配置以大体上识别该等复数个实体区块中具有相对高擦除计数之一组实体区块。如请求项22之记忆装置，其中用于判定何时将执行该内部维护处理序之该等构件包括用于将一第一值与一临限值比较之构件，其中当该第一值大体上等于该临限值时，判定将执行该内部维护处理序。如请求项22之记忆装置，其中用于判定何时将执行该内部维护处理序之该等构件包括用于获得与该记忆系统相关联之一时间之构件，及用于判定该时间何时指示将执行该内部维护处理序之构件。 |
