| 发明名称 |
TRANSISTOR A LARGEUR DE GRILLE EFFECTIVE AUGMENTEE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UN TEL TRANSISTOR ET PROCEDE DE REALISATION |
| 摘要 |
<p>Le transistor (6) à effet de champ comporte une zone (2) en matériau semi-conducteur qui forme une saillie depuis une couche (5) en matériau semi-conducteur . L'électrode de grille (3', 3") est séparée de la zone (2) en saillie par un matériau isolant de grille. L'électrode de grille (3', 3") recouvre une paroi principale de la zone (2) en saillie et recouvre partiellement une paroi latérale de la zone (2) en saillie selon une profondeur de recouvrement désirée.</p> |
| 申请公布号 |
FR2961951(A1) |
申请公布日期 |
2011.12.30 |
| 申请号 |
FR20100002633 |
申请日期 |
2010.06.23 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES;STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS |
发明人 |
GUILLAUMOT BERNARD;JAUD MARIE ANNE;THOMAS OLIVIER |
| 分类号 |
H01L29/772;H01L21/336;H01L21/8244;H01L27/085 |
主分类号 |
H01L29/772 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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