Method for fabrication of a back side contact solar cell

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Rückkontakt-Solarzelle, umfassend die Schritte a) Bereitstellen eines kristallinen Siliziumsubstrats (101) mit einer Frontseite und einer Rückseite; b) gleichzeitiges Diffundieren eines Phosphor-Dotanden auf wenigstens einem Teil der genannten Frontseite und wenigstens einem Teil der genannten Rückseite in das genannte kristalline Siliziumsubstrat (101), wodurch ein frontseitiger Phosphor-Diffusionsbereich (201) mit einer ersten Diffusionstiefe und ein rückseitiger Phosphor-Diffusionsbereich (203) mit derselben ersten Diffusionstiefe erzeugt wird, wobei während der Diffusion des genannten Phosphor-Dotanden in einem in situ-Schritt eine Schicht aus Phosphorsilikatglas (202) auf dem frontseitigen Phosphor-Diffusionsbereich (201) und in einem in situ-Schritt eine Schicht aus Phosphorsilikatglas (204) auf dem rückseitigen Phosphor-Diffusionsbereich (203) gebildet wird; c) Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (305) auf wenigstens einem Teil der Rückseite des Siliziumsubstrats (101); d) Abtragen wenigstens eines Teils der Phosphorsilikatglasschicht (202) auf der Frontseite des Siliziumsubstrats (101) sowie e) Erhitzen des durch die Durchführung der Schritte a) bis d) erzielten Produkts, wie oben beschrieben, für einen bestimmten Zeitraum und bei einer bestimmten Temperatur, wobei der genannte Zeitraum und die genannte Temperatur solcherart gewählt werden, dass der genannte frontseitige Phosphor-Diffusionsbereich (201) und der genannte rückseitige Phosphor-Diffusionsbereich (203) sich weiter in den Kristall ausdehnen bis zu einer zweiten Diffusionstiefe, die nach dem Erhitzen für den frontseitigen Phosphor-Diffusionsbereich (203A) eine andere ist als für den rückseitigen Phosphor-Diffusionsbereich (203B).