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Nichtflüchtiges Halbleiter-Speicherbauelement, aufweisend: einen Strangauswahltransistor (SST), der mit einer Bitleitung (BL) gekoppelt ist; und eine Mehrzahl von Speicherzellen (MC), die in Reihe mit dem Strangauswahltransistor (SST) gekoppelt sind, wobei wenigstens eine der Speicherzellen (DMC) derart ausgebildet ist, dass sie während einer Löschprozedur der Mehrzahl von Speicherzellen (MC) einen programmierten Zustand aufweist.
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