Vordotiertes Halbleitermaterial für eine Metallgateelektrodenstruktur mit großemεvon p-und n-Kanaltransistoren

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Gateisolationsschicht auf einem Halbleitergebiet eines Halbleiterbauelements, wobei die Gateisolationsschicht ein dielektrisches Material mit großem &egr; aufweist; Bilden eines Elektrodenmaterials auf der Gateisolationsschicht durch Herstellen einer metallenthaltenden Deckschicht auf der Gateisolationsschicht und durch Abscheiden eines dotierten Halbleitermaterials über der metallenthaltenden Deckschicht; Bilden einer dielektrischen Deckschicht über dem Elektrodenmaterial; und Bilden einer Gateelektrodenstruktur zumindest aus der Gateisolationsschicht und dem Elektrodenmaterial.