发明名称 |
光电半导体装置 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体光电元件,包含:基板;半导体系统,包含有源层形成于基板之上;及电极结构,形成于半导体系统之上,此电极结构包含:第一电性接触区及第一电性打线垫;第二电性打线垫;第一电性延伸线路;第二电性延伸线路,其中第一电性延伸线路与第二电性延伸线路以立体跨接方式交错;及绝缘层,形成于该第一电性延伸线路与该第二电性延伸线路的交会跨接处。 |
申请公布号 |
CN101752332B |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN200810184859.7 |
申请日期 |
2008.12.05 |
申请人 |
晶元光电股份有限公司 |
发明人 |
陈彦文;陈威佑;王健源;谢明勋;陈泽澎 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
屈玉华 |
主权项 |
一种半导体光电元件,包含:基板;半导体系统形成于该基板之上,包含有源层;及电极结构,形成于该半导体系统之上,该电极结构包含:第一电性接触区及第一电性打线垫;第二电性打线垫;第一电性延伸线路;第二电性延伸线路,其中该第一电性延伸线路与该第二电性延伸线路以立体跨接方式交错;及绝缘层,形成于该第一电性延伸线路与该第二电性延伸线路的交会跨接处。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |