发明名称 制造微细结构的方法、制造排液头的方法以及排液头
摘要 一种用于制造微细结构的方法,包括:形成要由第一波长范围的致电离辐射曝光的第一致电离辐射分解型正性抗蚀剂层的步骤;在第一正性光敏材料层上形成要由第二波长范围的致电离辐射曝光的第二致电离辐射分解型正性抗蚀剂层的步骤;通过在作为上层的上述第二正性光敏材料层中进行分解反应而不在上述第一正性光敏材料层中进行分解反应,并用显影液进行显影,从而在所述第二正性光敏材料层中形成所需的图案的步骤;以及,通过在预定区域中进行分解反应并进行显影,在作为下层的所述第一正性光敏材料层中形成所需的图案的步骤。从而,在所述衬底中制造出凸形图案。
申请公布号 CN1977219B 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN200580021473.9 申请日期 2005.06.27
申请人 佳能株式会社 发明人 久保田雅彦;铃木工;佐藤环树;柬理亮二;服田麻纪;浅井和宏;芝昭二;石仓宏惠;冈野明彦
分类号 G03F7/095(2006.01)I;B41J2/16(2006.01)I 主分类号 G03F7/095(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李春晖
主权项 一种用于制造微细结构的方法,包括:形成作为要由第一波长范围的致电离辐射曝光的第一正性光敏材料层的包括甲基异丙烯基甲酮的致电离辐射分解型正性抗蚀剂层的步骤;在第一正性光敏材料层上形成包括共聚物光敏材料的致电离辐射分解型正性抗蚀剂层作为要由第二波长范围的致电离辐射曝光的第二正性光敏材料层的步骤,所述共聚物是通过甲基丙烯酸酯和甲基丙烯酸的共聚作用获得的,共聚物的重量平均分子量为50000到300000,共聚物中包含的甲基丙烯酸的比例为按重量5‑30%;通过将上述第二波长范围的致电离辐射通过掩模引导到形成了上述第一和第二正性光敏材料层的衬底表面,使得不在上述第一正性光敏材料层中进行分解反应,而仅在上述第二正性光敏材料层的希望区域中进行分解反应,并用显影液进行显影,从而在作为上层的所述第二正性光敏材料层中形成所需的图案的步骤,以及通过将上述第一波长范围的致电离辐射通过掩模引导到形成了上述第一和第二正性光敏材料层的衬底表面,使得在至少上述第一正性光敏材料层的预定区域中进行分解反应,并接着进行显影,从而在作为下层的所述第一正性光敏材料层中形成所需的图案的步骤,其特征在于,通过执行上述步骤,在所述衬底中制造出凸形图案。
地址 日本东京