| 发明名称 | CVD成膜方法和CVD成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CVD成膜方法和CVD成膜装置。在腔室(21)内的基座(22)上配置晶片(W)，向腔室(121)内连续供给来自气体供给机构(50)的金属化合物气体供给部(51)的金属化合物气体和来自气体供给机构(50)的还原性有机化合物气体供给部(52)的还原性有机化合物气体，由此在晶片(W)的表面形成金属膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101495673B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN200780028337.1 | 申请日期 | 2007.07.18 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 三好秀典 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种CVD成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置被处理基板的工序；和向所述处理容器内连续供给金属化合物气体和还原性有机化合物气体，在基板的表面形成金属膜的工序，所述还原性有机化合物是选自醇、醛、羧酸、羧酸酐、酯、有机酸铵盐、有机酸胺盐、有机酰胺、有机酰肼、有机酸的金属配位化合物和有机酸的金属盐中的至少一种。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||