发明名称 |
一种带有正交相位误差校准的二分频器 |
摘要 |
本发明公开了一种带有正交相位误差校准的二分频器。带有正交相位误差校准的二分频器,包括产生I通路信号的主锁存器和产生Q通路信号的从锁存器,其特征在于:所述的主锁存器的尾电流源是由MI1、MI2……MIN这N个NMOS晶体管组成的校准电路,MI1、MI2……MIN这N个晶体管的栅极分别由IB1、IB2……IBN这N个控制信号来控制,从而控制着主锁存器的偏置电流的大小;所述的从锁存器的尾电流源是由MQ1、MQ2……MQN这N个NMOS晶体管组成的校准电路,MQ1、MQ2……MQN这N个晶体管的栅极分别由QB1、QB2……QBN这N个控制信号来控制,从而控制着从锁存器的偏置电流的大小。本发明增加了控制字,调节锁存器偏置电流,校准了SCL结构的二分频器的正交两路信号的相位误差。 |
申请公布号 |
CN102299707A |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN201110106872.2 |
申请日期 |
2011.04.27 |
申请人 |
广州润芯信息技术有限公司 |
发明人 |
李正平;王明照;林荣 |
分类号 |
H03L7/06(2006.01)I |
主分类号 |
H03L7/06(2006.01)I |
代理机构 |
广州市南锋专利事务所有限公司 44228 |
代理人 |
李永庆 |
主权项 |
一种带有正交相位误差校准的二分频器,包括产生I通路信号的主锁存器和产生Q通路信号的从锁存器,其特征在于:所述的主锁存器的尾电流源是由MI1、MI2……MIN这N个NMOS晶体管组成的校准电路,MI1、MI2……MIN这N个晶体管的栅极分别由IB1、IB2……IBN这N个控制信号来控制,从而控制着主锁存器的偏置电流的大小;所述的从锁存器的尾电流源是由MQ1、MQ2……MQN这N个NMOS晶体管组成的校准电路,MQ1、MQ2……MQN这N个晶体管的栅极分别由QB1、QB2……QBN这N个控制信号来控制,从而控制着从锁存器的偏置电流的大小。 |
地址 |
510000 广东省广州市经济技术开发区科学城彩频路11号A801室 |