发明名称 |
减小半导体器件热载流子注入损伤的制造方法 |
摘要 |
本发明提出一种减小半导体器件热载流子注入损伤的制造方法,包括如下步骤:在半导体衬底中形成n阱、p阱,在衬底上方生长栅氧层并在栅氧层上形成多晶硅栅;在n阱区域上方覆盖光刻胶层后对p阱区域进行轻掺杂漏区结构源漏注入;采用含四氟化碳组合气体灰化光刻胶层并在p阱区域源漏端界面处形成硅氟键;在p阱区域上方覆盖光刻胶层后对n阱区域进行轻掺杂漏区结构源漏注入;采用含四氟化碳组合气体灰化光刻胶层并在n阱区域源漏端界面处形成硅氟键;制作栅极侧墙并进行源漏注入,形成源极和漏极。本发明提供了一种可以减小半导体器件热载流子注入损伤的MOS器件的制造方法,既可以防止MOS器件的热载流子注入损伤,又可以抑制硼穿通现象。 |
申请公布号 |
CN102299113A |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN201110266524.1 |
申请日期 |
2011.09.08 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
俞柳江;李全波;黄晓橹 |
分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种减小半导体器件热载流子注入损伤的制造方法,包括如下步骤:提供半导体衬底,在所述的半导体衬底中形成n阱和p阱,在半导体衬底上方氧化生长栅氧层,再在所述的栅氧层上分别形成多晶硅栅;在n阱区域上方覆盖光刻胶层,在未覆盖光刻胶层的p阱区域进行n型轻掺杂漏区结构源漏注入;采用含四氟化碳组合气体通过灰化工艺去除n阱区域上方的光刻胶层并在p阱区域的源漏端的硅衬底和栅氧层界面处形成硅氟键;在p阱区域上方覆盖光刻胶层,在未覆盖光刻胶层的n阱区域进行p型轻掺杂漏区结构源漏注入;采用含四氟化碳组合气体通过灰化工艺去除p阱区域上方的光刻胶层并在n阱区域的源漏端的硅衬底和栅氧层界面处形成硅氟键;制作栅极侧墙并进行源漏注入,形成源极和漏极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |