绝缘体上硅SOI型的基板的修整方法

摘要

本发明涉及一种用于绝缘体上硅SOI型的基板(1)的修整方法，所述基板包括在有源硅层(4)和硅支撑层(2)之间埋入的氧化层(3)，该方法包括应用修整步骤，所述修整步骤的连续步骤是：a)对所述基板(1)进行快速热退火RTA，b)对有源硅层(4)进行牺牲氧化的步骤，c)对步骤b)后获得的所述基板(1′)进行快速热退火RTA，d)对经历步骤c)的所述基板(1′)的所述有源层进行牺牲氧化的步骤，该方法的特征在于，进行牺牲氧化的步骤b)去除第一氧化物厚度(5)，并且进行牺牲氧化的步骤d)去除比所述第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度。

主权项

一种用于“绝缘体上硅”SOI型的基板(1)的修整方法，所述基板包括在有源硅层(4)和硅支撑层(2)之间所埋入的氧化层(3)，该方法包括应用修整步骤，以下为所述修整步骤的连续步骤：a)对所述基板(1)进行快速热退火RTA，b)对所述基板(1)的有源硅层(4)进行牺牲氧化的步骤，c)对步骤b)后获得的所述基板(1′)进行快速热退火RTA，d)对经历了步骤c)的所述基板(1′)的所述有源硅层(4′)进行牺牲氧化的步骤，该方法的特征在于，进行所述牺牲氧化的步骤b)用以去除第一氧化物厚度(5)，并且进行所述牺牲氧化的步骤d)用以去除比所述第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度(6)。