推挽桥式磁电阻传感器

摘要

本发明提供了一种采用磁性隧道结的多芯片推挽桥式磁电阻传感器。该磁电阻传感器由放置在一半导体封装内的两个或两个以上磁性隧道结传感器芯片组成。沿平行于该半导体封装的引线框的每个传感轴，分别由两个传感器芯片相互反平行排列。该等传感器芯片使用引线键合法互相连接为一推挽式半桥或惠斯通电桥。该等芯片通过引线键合为各种标准半导体引线框中的任一种，并封装在低成本标准半导体封装中。

主权项

一种推挽式半桥磁电阻传感器，其特征在于该传感器包括：   一或多对MTJ或GMR磁电阻传感器芯片，其中每对中有一个传感器芯片相对另一个旋转180度，且该等传感器芯片附于一标准半导体封装引线框； 每个传感器芯片包括互相连接为一单一磁电阻元件的一或多个MTJ或GMR传感器元件；该MTJ或GMR元件具有在其磁电阻传输曲线上的某一段线性正比于外磁场的一电阻值；磁电阻传感器芯片具有相似的RH和RL值；传感器芯片的焊盘经设计以使得在磁电阻元件的各侧可以附着一个以上的接合线；磁电阻芯片通过引线相互接合，并通过引线与引线框连接，以生产一推挽式半桥传感器。