基板处理方法

摘要

本发明提供一种能够不会使用正离子进行的蚀刻效率下降地，有效利用负离子且提高整体蚀刻效率的基板处理方法。该基板处理方法的特征在于：分别作为脉冲波施加等离子体RF和偏置RF，并依次反复进行以下步骤：一并施加等离子体RF和偏置RF，用等离子体中的正离子对基板实施蚀刻处理的正离子蚀刻步骤(3b)；一并停止等离子体RF和偏置RF的施加，在处理室内产生负离子的负离子生成步骤(3c)；和停止等离子体RF的施加，施加偏置RF将负离子引入到基板的负离子引入步骤(3a)，其中，使偏置RF的占空比大于等离子体RF的占空比。

主权项

一种基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置具有：在内部产生等离子体的处理室、载置配置在该处理室内的基板的载置台和与该载置台相对配置的电极，该基板处理方法在所述处理室内施加等离子体生成用的高频电力，在所述载置台施加比所述等离子体生成用的高频电力频率低的偏置用的高频电力，对所述基板实施等离子体蚀刻处理，该基板处理方法的特征在于：分别作为脉冲波施加所述等离子体生成用的高频电力和所述偏置用的高频电力，并且包括：一并施加所述等离子体生成用的高频电力和所述偏置用的高频电力，用所述等离子体中的正离子对所述基板实施蚀刻处理的正离子蚀刻步骤；一并停止所述等离子体生成用的高频电力和所述偏置用的高频电力的施加，在所述处理室内产生负离子的负离子生成步骤；和停止所述等离子体生成用的高频电力的施加，施加所述偏置用的高频电力，将负离子引入到所述基板的负离子引入步骤，其中使所述偏置用的高频电力的占空比大于所述等离子体生成用的高频电力的占空比。