| 发明名称 | 半导体电感器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体电感器件，包括：半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；位于绝缘介质层上的金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。本发明还提供了一种半导体电感器件的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；在所述绝缘介质层上形成金属层；图案化金属层，形成金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。该半导体电感器件的品质因子得到提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102299149A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010217925.3 | 申请日期 | 2010.06.23 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 许丹 |
| 分类号 | H01L27/01(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体电感器件，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；位于绝缘介质层上的金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||