发明名称 |
半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管、有源矩阵驱动显示面板 |
摘要 |
本发明提供一种可以以较低温度制作而且也可以在具有挠曲性的树脂基板上形成的半导体薄膜,其是相对可见光稳定,而且晶体管特性等元件特性高,在用作驱动显示装置的开关元件时,即使与像素部重叠也不会使显示面板的亮度降低的半导体薄膜,其中,通过使含有氧化锌和氧化铟的非晶质膜成膜,以使载流子密度为10+17cm-3以下、霍尔迁移率为2cm2/V·sec以上、能带间隙为2.4EV以上,然后进行氧化处理,从而形成透明半导体薄膜(40)。 |
申请公布号 |
CN101309863B |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN200680042998.5 |
申请日期 |
2006.11.16 |
申请人 |
出光兴产株式会社 |
发明人 |
矢野公规;井上一吉;田中信夫 |
分类号 |
C01G15/00(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
C01G15/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李贵亮 |
主权项 |
一种半导体薄膜,其由含有氧化锌和氧化铟的非晶质膜构成,其特征在于,载流子密度为10+17cm‑3以下,霍尔迁移率为2cm2/V·sec以上,能带间隙为2.4eV以上,在将利用X射线散射测定求得的径向分布函数(RDF)中的原子间距离在0.3~0.36nm间的RDF的最大值设为A、原子间距离在0.36~0.42nm间的RDF的最大值设为B时,满足A/B>0.8的关系。 |
地址 |
日本国东京都 |