发明名称 芯片温度传感器
摘要 本发明提供了一种传感器阵列,具有在第一衬底中形成的多个传感器元件和位于其周围的多个芯片温度传感器。每个芯片温度传感器构造成提供与它们所在芯片的温度相关的输出,传感器元件提供指示入射其上的辐射强度的输出。
申请公布号 CN101568813B 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN200780046917.3 申请日期 2007.10.17
申请人 美国亚德诺半导体公司 发明人 威廉·A·莱恩;埃蒙·海因斯
分类号 G01J5/10(2006.01)I 主分类号 G01J5/10(2006.01)I
代理机构 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人 张颖玲;武晨燕
主权项 一种传感器阵列,具有至少两个辐射传感器元件和至少两个衬底传感器元件,两种类型传感器元件的每种提供在半导体衬底上,其中所述辐射传感器元件构造成提供基于入射在所述辐射传感器元件上的辐射的变化的输出,并且所述衬底传感器元件构造成提供基于所述衬底在至少两个位置处的温度的输出,其中所述半导体衬底包括在各辐射传感器元件与半导体衬底上其他元件之间提供热绝缘的沟槽布置,所述沟槽布置包括在第一衬底中蚀刻的两个相邻沟槽,两个沟槽的每个由热绝缘材料填充,以及各相邻沟槽由蚀刻区彼此隔离,该蚀刻区具有在至少一个所述沟槽的下方延伸从而在所述辐射传感器元件的至少一部分下方延伸的深度,其中所述传感器阵列还包括形成在第二衬底中的盖布置,第一和第二衬底彼此相对布置以使得所述至少两个辐射传感器元件的至少一些具有提供于其上方的盖;以及其中第一和第二衬底彼此相对布置以便在所述盖和其下方的所述辐射传感器元件之间限定腔。
地址 美国马萨诸塞州