| 发明名称 | 纳米线网格器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体结构，包括位于衬底表面上的多个垂直层叠并垂直隔开的半导体纳米线(例如，半导体纳米线网格)，每个垂直层叠并垂直隔开的半导体纳米线的一个末段连接到源极区，每个垂直层叠并垂直隔开的半导体纳米线的另一个末段连接到漏极区。包括栅绝缘体和栅导体的栅极区毗邻所述多个垂直层叠并垂直隔开的半导体纳米线，以及源极区和漏极区与栅极区自对准。 | ||
| 申请公布号 | CN102301480A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN200980155450.5 | 申请日期 | 2009.12.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·张;S·比戴尔;P·张;M·吉龙;J·斯莱特 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 高青 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：位于衬底表面上的多个垂直层叠并垂直隔开的半导体纳米线，每个半导体纳米线具有两个末段，其中一个末段连接到源极区，而另一个末段连接到漏极区；和栅极区，所述栅极区包括所述多个垂直层叠并垂直隔开的半导体纳米线的至少一部分之上的栅绝缘体和栅导体，其中，每个源极区和每个漏极区与栅极区自对准。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||