| 发明名称 | 用于蚀刻设在反射层下方的介电层的方法和设备 | ||
| 摘要 | 提供一种用以蚀刻设在抗反射层(ARL)下方的介电层的方法。该方法包括(a)在该ARL上方形成具有掩模特征的图案化掩模，该掩模具有该掩模特征的分离区域和密集区域，(b)修整和开口，和(c)使用该修整过的掩模蚀刻该介电层。该修整和开口包括多个循环，其中每个循环包括(b1)修整-蚀刻阶段，其蚀刻该掩模特征的底部中的该ARL并相对该密集区域选择性修整该掩模的分离区域，和(b2)沉积-蚀刻阶段，其在该掩模上沉积沉积层同时进一步蚀刻该掩模特征的底部中的该ARL。该修整和开口产生对在该分离区域中的掩模的净修整。提供一种用以蚀刻设在抗反射层(ARL)和形成在该ARL上方的具有掩模特征的图案化掩模的下方的介电层的设备。 | ||
| 申请公布号 | CN101779277B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN200880103493.4 | 申请日期 | 2008.08.19 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 许东浩;苏普利亚·戈亚尔;金智洙;S·M·列扎·萨贾迪 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 一种用以蚀刻设在抗反射层(ARL)下方的介电层的方法，该方法包括：在该ARL上方形成具有掩模特征的图案化掩模，该掩模具有该掩模特征的分离区域和密集区域；修整和开口包括多个循环，每个循环包括：修整‑蚀刻阶段，其蚀刻该掩模特征的底部中的该ARL并相对该密集区域选择性修整该掩模的分离区域；以及沉积‑蚀刻阶段，其在该掩模上沉积沉积层，同时进一步蚀刻该掩模特征的底部中的该ARL，其中该修整和开口产生对在该分离区域中的掩模的净修整；和使用该修整过的掩模蚀刻该介电层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||