| 发明名称 | 用于蚀刻的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了衬底蚀刻方法和设备。在一个实施例中，提供了一种用于在等离子蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，包括以下步骤：使背侧处理气体在衬底与衬底支撑组件之间流动；并循环地蚀刻衬底上的层。 | ||
| 申请公布号 | CN102301458A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201080006330.1 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 阿兰·切斯里;斯坦利·德特玛 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H05H1/34(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 王安武 |
| 主权项 | 一种用于在等离子蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，包括以下步骤：使背侧处理气体在衬底与设置在等离子处理腔室中的衬底支撑组件之间流动；以及在所述等离子处理腔室中循环地蚀刻所述衬底上的硅层，其中所述背侧处理气体是含氧气体，所述含氧气体在所述腔室中通过与材料反应而影响蚀刻循环过程中的蚀刻或聚合速率。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||